全体会议和特邀发言者

大会报告

琼·雷德温琼·雷德温是宾夕法尼亚州立大学材料科学与工程教授,并担任2D Crystal Consortium的董事。2D Crystal Consortium是NSF材料创新平台(MIP)国家用户设施,用于合成2D硫系化合物。ReDink于1994毕业于威斯康星大学麦迪逊分校的化学工程博士学位,并于2000加入滨州州立大学之前在高级技术材料公司(ATMI)工作了五年。

Redwing的研究重点是电子材料的晶体生长和外延,重点是通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)合成薄膜和纳米材料。她的工作影响了一系列材料系统,包括III族氮化物、MgB2.超导体、Si/SiGe纳米线,以及最近的2D层状硫系化合物。

Redwing目前担任美国晶体生长协会副主席,是晶体生长杂志,以及二维材料. 她是材料研究学会、美国物理学会和美国科学进步协bobapp会的会员。她在300多份参考期刊上发表论文,拥有8项美国专利。

原子薄半导体的外延生长和特性——超越薄片

二维(2D)材料的领域始于石墨烯的出现,但已扩展到一类广泛的材料,这些材料以范德华晶体的形式自然出现。在这类材料中,过渡金属二卤化物(TMD)引起了凝聚态物理和下一代电子学和光电子学的极大兴趣。在单层极限下,半导体TMD(例如,MX2.其中M=Mo,W和X=S,Se)在可见光范围内表现出直接带隙、大激子结合能和自旋谷极化。此外,不同组成和扭曲角度的TMD单分子膜可以堆叠形成具有奇异性质的异质结构和莫尔超晶格。

通过使用胶带和图章剥离大块晶体来制备TMD单层的能力使许多研究人员能够进入该领域。然而,目前的块体晶体尺寸有限,且均匀单层的剥落具有挑战性,限制了需要大面积单层的电子学和光电子应用的发展。

在本次演讲中,我将讨论TMD单层和异质结构外延生长在晶圆级2D器件技术发展中的前景和挑战。金属有机化学气相沉积是一种很有前途的方法,可在高温(>700℃)下生长o(C)以及获得化学计量外延薄膜所需的较大硫族超压。将介绍TMD范德华外延的独特方面,包括衬底缺陷、台阶和表面钝化的作用。TMD薄膜在柔性电子和光电子、单片3D集成和光子学中的应用我将接受审查。

特邀发言者

史蒂文·梅,德雷塞尔大学
利用共振X射线反射率探测量子异质结构中埋置界面的电子自由度

普里尼哈·纳朗,哈佛大学
预测和控制固体中人工原子的电子、自旋和晶格自由度


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